MT53E256M32D2DS-053 WT:B vs MT53D512M32D2DS-053 WT:D Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MT53E256M32D2DS-053 WT:B от Micron Technology и MT53D512M32D2DS-053 WT:D от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
MT53E256M32D2DS-053 - 8Gb LPDDR4 DRAM 1.866GHz | Micron
MT53E256M32D2DS-053 WT:B ✓ АктивенMicron Technology
MT53D512M32D2DS-053 WT:D - 16Gb LPDDR4 SDRAM | Micron
MT53D512M32D2DS-053 WT:D ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | MT53E256M32D2DS-053 WT:B | MT53D512M32D2DS-053 WT:D |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $21,90 | $6,05 |
| Тип памяти | LPDDR4 SDRAM (Mobile DRAM) | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Density | 8 Gbit (256M x 32) | — |
| Организация памяти | 256M x 32 | 512M x 32 |
| Скорость передачи данных | 1866 Mbps/pin (1.866 GHz) | — |
| Supply Voltage (VDD2/VDDQ) | 1.1 V | — |
| Operating Temperature (WT grade) | -30C to +85C | — |
| Корпус | 200-ball WFBGA, 10 x 14.5 mm | 200-WFBGA (10 mm x 14.5 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Self-Refresh | Auto self-refresh with built-in temperature sensor | Auto self-refresh with temperature-compensated refresh |
| Особенности | Auto precharge, write leveling, ZQ calibration | Auto self-refresh, built-in temperature sensor, auto precharge, write leveling, ZQ calibration, asynchronous reset, data mask |
| Bus Width | 32-bit | — |
| Peak Bandwidth (per device) | approximately 7.46 GB/s (32-bit x 1866 Mbps) | — |
| Статус RoHS | Compliant (per JLCPCB/LCSC listing) | RoHS Compliant (per DigiKey listing) |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Access Time / CAS Latency | [DATA_NEEDED: CL at 1866 Mbps] | — |
| Refresh Interval | [DATA_NEEDED: tREFI specification] | — |
| Package Height | [DATA_NEEDED: max package height] | — |
| Размер памяти | — | 16 Gbit (2 GB) |
| Clock Frequency / Data Rate | — | 1.866 GHz (1866 MT/s) |
| Die Configuration | — | DDP (Double Die Package) |
| Рабочая температура | — | -40C to +85C |
| Speed Grade | — | -053 |
| Разрядность шины данных | — | 32 bit |
| Memory Interface | — | Parallel, LPDDR4 |
| Refresh | — | Auto refresh and self refresh |
| Напряжение питания | — | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ supply voltage] |