MT53E384M32D2DS-053 WT:E vs MT53E384M32D2DS-046 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT53E384M32D2DS-053 WT:E par Micron Technology et MT53E384M32D2DS-046 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT53E384M32D2DS-053 WT:E - 12Gbit LPDDR4 SDRAM | Micron
MT53E384M32D2DS-053 WT:E ✓ ActifMicron Technology
MT53E384M32D2DS-046 - 12Gb LPDDR4 SDRAM 2.133GHz | Micron
MT53E384M32D2DS-046 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT53E384M32D2DS-053 WT:E | MT53E384M32D2DS-046 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $11,30 | $13,40 |
| Type de mémoire | Mobile LPDDR4 SDRAM | LPDDR4 SDRAM (Mobile DRAM) |
| Taille de mémoire | 12 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 384M x 32 | — |
| Débit de données | 1866 Mbps (1.866 GHz) | [DATA_NEEDED: exact MT/s data rate] |
| Speed Grade | -053 | -046 (4266 MT/s class) |
| Die Architecture | DDP (Double Die Package) | — |
| Boîtier | 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) | 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -25C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Supply Voltage Class | 1.1V (VDD2/VDDQ), LPDDR4 low-voltage I/O | — |
| Interface | LPDDR4 (JEDEC mobile DRAM interface) | — |
| Temperature Grade Suffix | WT (commercial/industrial), E (lead-free RoHS package code) | — |
| Memory IC Category | SDRAM - Mobile LPDDR4 | — |
| Statut RoHS | Compliant (E package suffix) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Core Supply Voltage | [DATA_NEEDED: VDD1 core voltage exact value] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh interval 32ms/64ms confirmation] | — |
| Standard Package Quantity | [DATA_NEEDED: tape and reel quantity] | — |
| Memory Organization | — | 384M x 32 |
| Density | — | 12 Gbit |
| Clock Frequency | — | 2.133 GHz |
| Tension d'alimentation | — | 1.1 V |
| Die Configuration | — | DDP (Double Die Package) |
| Qualification | — | AEC-Q100, automotive grade (AUT suffix) |
| Die Revision | — | :E |
| Access Type | — | Parallel |
| Memory Category | — | Volatile DRAM |