MT53E384M32D2DS-053 WT:E vs MT53E384M32D2DS-046 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de MT53E384M32D2DS-053 WT:E por Micron Technology e MT53E384M32D2DS-046 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Micron Technology
MT53E384M32D2DS-053 WT:E - 12Gbit LPDDR4 SDRAM | Micron
MT53E384M32D2DS-053 WT:E ✓ AtivoMicron Technology
MT53E384M32D2DS-046 - 12Gb LPDDR4 SDRAM 2.133GHz | Micron
MT53E384M32D2DS-046 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | MT53E384M32D2DS-053 WT:E | MT53E384M32D2DS-046 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $11,30 | $13,40 |
| Tipo de memória | Mobile LPDDR4 SDRAM | LPDDR4 SDRAM (Mobile DRAM) |
| Tamanho da memória | 12 Gbit | — |
| Organização da memória | 384M x 32 | — |
| Taxa de dados | 1866 Mbps (1.866 GHz) | [DATA_NEEDED: exact MT/s data rate] |
| Speed Grade | -053 | -046 (4266 MT/s class) |
| Die Architecture | DDP (Double Die Package) | — |
| Encapsulamento | 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) | 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | -25C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Supply Voltage Class | 1.1V (VDD2/VDDQ), LPDDR4 low-voltage I/O | — |
| Interface | LPDDR4 (JEDEC mobile DRAM interface) | — |
| Temperature Grade Suffix | WT (commercial/industrial), E (lead-free RoHS package code) | — |
| Memory IC Category | SDRAM - Mobile LPDDR4 | — |
| Status RoHS | Compliant (E package suffix) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Core Supply Voltage | [DATA_NEEDED: VDD1 core voltage exact value] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh interval 32ms/64ms confirmation] | — |
| Standard Package Quantity | [DATA_NEEDED: tape and reel quantity] | — |
| Memory Organization | — | 384M x 32 |
| Density | — | 12 Gbit |
| Clock Frequency | — | 2.133 GHz |
| Tensão de alimentação | — | 1.1 V |
| Die Configuration | — | DDP (Double Die Package) |
| Qualification | — | AEC-Q100, automotive grade (AUT suffix) |
| Die Revision | — | :E |
| Access Type | — | Parallel |
| Memory Category | — | Volatile DRAM |