MW7IC2220NR1 vs MW7IC2220NBR1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MW7IC2220NR1 par NXP Semiconductors et MW7IC2220NBR1 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MW7IC2220NR1 MW7IC2220NR1 - 2W W-CDMA RF LDMOS PA, 2110-2170 MHz, 28V | NXP

MW7IC2220NR1 - 2W W-CDMA RF LDMOS PA, 2110-2170 MHz, 28V | NXP

MW7IC2220NR1 ✓ Actif
NXP Semiconductors
MW7IC2220NBR1 MW7IC2220NBR1 - 2W W-CDMA RF Power Amplifier 2.11-2.17 GHz | NXP

MW7IC2220NBR1 - 2W W-CDMA RF Power Amplifier 2.11-2.17 GHz | NXP

MW7IC2220NBR1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MW7IC2220NR1 MW7IC2220NBR1
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie RF Amplifiers RF Amplifiers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $18,75 $21,50
Technology LDMOS (Laterally Diffused MOSFET) RF LDMOS (Laterally Diffused MOSFET)
RF Type W-CDMA / Wideband Integrated Power Amplifier —
Frequency Range 2000 MHz to 2200 MHz 2000 MHz to 2200 MHz (usable), 2110-2170 MHz (W-CDMA band)
Operating Band (W-CDMA) 2110 MHz to 2170 MHz —
Test Frequency 2167.5 MHz —
Output Power (Avg, W-CDMA) 2 W Avg. —
Supply Voltage (VDD) 28 V typical —
Drain Voltage Rating 24 V to 32 V operational range —
Quiescent Current (IDQ1) 80 mA —
Quiescent Current (IDQ2) 300 mA —
Small-Signal Gain 31 dB 31 dB (typical at 2.17 GHz)
Input/Output Matching On-chip, 50 ohm nominal —
Stages Two-stage integrated amplifier —
Boîtier / Format TO-270-16 Variant, Flat Leads (TO-270WB-16) —
Type de montage Surface Mount (with bolted flange/heatsink tab) Surface Mount (flange/over-molded)
Température de fonctionnement -40C to +150C (junction) —
Packaging Tape & Reel (R1 suffix) —
Modulation Formats Supported W-CDMA, TD-SCDMA, single-carrier W-CDMA —
Fonction — W-CDMA Wideband Integrated Power Amplifier
Operating Frequency (typical) — 2167.5 MHz
Average Output Power — 2 W (33 dBm)
Drain Supply Voltage (VDD) — 28 V (24 V to 32 V operating range)
Quiescent Current Stage 1 (IDQ1) — 80 mA
Quiescent Current Stage 2 (IDQ2) — 300 mA
Package Type — TO-272WB-16 (over-molded plastic)
Input Matching — On-chip (50 ohm nominal)
Output Matching — On-chip (50 ohm nominal)
Characteristic Impedance — 50 ohm
Maximum Operating Temperature — 150 C
Modulation Support — W-CDMA, TD-SCDMA, LTE, multi-carrier
Test Signal — Single-Carrier W-CDMA, IQ Magnitude Clipping, PAR = 7.5 dB
ACPR Measurement — 3.84 MHz channel bandwidth at +/-5 MHz offset

Fiches techniques et ressources

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