MW7IC2240NR1 vs MW7IC2240NBR1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MW7IC2240NR1 par NXP Semiconductors et MW7IC2240NBR1 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MW7IC2240NR1 MW7IC2240NR1 - 4W W-CDMA RF LDMOS PA, 2110-2170 MHz | NXP

MW7IC2240NR1 - 4W W-CDMA RF LDMOS PA, 2110-2170 MHz | NXP

MW7IC2240NR1 ✓ Actif
NXP Semiconductors
MW7IC2240NBR1 MW7IC2240NBR1 - 4W W-CDMA RF LDMOS Power Amplifier | NXP

MW7IC2240NBR1 - 4W W-CDMA RF LDMOS Power Amplifier | NXP

MW7IC2240NBR1 Obsolete

Comparaison des spécifications

Paramètre MW7IC2240NR1 MW7IC2240NBR1
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie RF Amplifiers RF Amplifiers
Statut du cycle de vie Actif Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $13,16 $29,00
Fonction RF Power Amplifier (W-CDMA, multi-stage) —
Technology LDMOS (Laterally Diffused MOSFET) RF LDMOS (multi-stage integrated)
Frequency Range 2110 MHz to 2170 MHz (usable 2000-2200 MHz) 2110 MHz to 2170 MHz (usable 2000-2200 MHz)
Average Output Power 4 W (W-CDMA, 28 V) —
Power Gain (Min) 15 dB —
Drain Supply Voltage 24 V to 32 V (28 V typical) —
Input VSWR 5:1 5:1
Output VSWR 5:1 5:1
Nominal Impedance 50 ohm (DC-blocked input, >3 ohm output) 50 ohm (on-chip matched)
Spurious Emissions Below -60 dBc from 100 mW to 10 W CW Pout —
On-Chip Matching Yes (input 50 ohm DC-blocked, partial output) —
Quiescent Current Compensation Integrated with temperature compensation —
Enable Function Yes —
Boîtier TO-270 WBL-16 (TO-270WB16), 16-pin ceramic TO-272 WB-16 (over-molded plastic, 16-lead)
Operating Modulation Formats W-CDMA, TD-SCDMA, LTE-FDD, multi-carrier —
Type de montage Surface Mount / flange mount with ground pad Surface Mount
Modulation / RF Type — W-CDMA (also TD-SCDMA, LTE)
Output Power (Average) — 4 W Avg. @ 2112.5 MHz, single-carrier W-CDMA
Supply Voltage (VDD) — 28 V (rated 24 V to 32 V operation)
Quiescent Current Stage 1 (IDQ1) — 90 mA
Quiescent Current Stage 2 (IDQ2) — 420 mA
Minimum Gain — 15 dB (typical 30 dB)
P1dB (Output) — 46 dBm (per distributor listing)
Terminal Finish — Matte Tin (Sn)
Package Body Material — Plastic / Epoxy
Operating Mode — 100% PAR tested for W-CDMA-like signals
Statut RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS compliance]

Fiches techniques et ressources

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