NT5AD512M16A4-HR vs NT5AD512M16A4-GZ Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de NT5AD512M16A4-HR par Nanya Technology et NT5AD512M16A4-GZ par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Nanya Technology
NT5AD512M16A4-HR NT5AD512M16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya

NT5AD512M16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya

NT5AD512M16A4-HR ✓ Actif
Nanya Technology
NT5AD512M16A4-GZ NT5AD512M16A4-GZ - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya

NT5AD512M16A4-GZ - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya

NT5AD512M16A4-GZ ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre NT5AD512M16A4-HR NT5AD512M16A4-GZ
Marque Nanya Technology Nanya Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $8,10 $8,50
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Organisation de la mémoire 512M x 16 512M x 16
Density 8 Gb 8Gb
Tension d'alimentation 1.2 V 1.2V
Débit de données 3200 Mbps (PC4-25600) —
Température de fonctionnement 0°C to +95°C —
Boîtier TFBGA-96 TFBGA-96
Type de montage Surface Mount —
Auto Self-Refresh Yes Yes
Built-in Temperature Sensor Yes Yes
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC Function Yes Yes
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
ZQ Calibration Yes —
Fréquence d'horloge maximale — 1200 MHz
Largeur du bus de données — 16 bits
Number of Terminals — 96
Interleaved Burst Length — 4, 8
Access Mode — Four Bank Page Burst
Plage de température de fonctionnement — Commercial and Industrial
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Data Mask Function — Yes
Write Leveling Function — Yes
ZQ Calibration Function — Yes

Fiches techniques et ressources

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