NT5AD512M16C4-JR vs MT40A512M16TB-062E:J Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5AD512M16C4-JR par Nanya Technology et MT40A512M16TB-062E:J par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron
MT40A512M16TB-062E:J ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | NT5AD512M16C4-JR | MT40A512M16TB-062E:J |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $73,75 | $8,10 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | SDRAM - DDR4 |
| Organisation de la mémoire | 512M x16 | — |
| Density | 8 Gbit | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Débit de données | 1.6 GHz (DDR4-3200) | — |
| Boîtier | TFBGA-96 | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to +95°C | 0°C to 95°C |
| Standby Current | 0.023 A (max) | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Taille de mémoire | — | 8Gbit (512M x 16) |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Access Time | — | 19 ns |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C; 32ms at >85°C to 95°C; 16ms at >95°C |
| Internal Banks (x16) | — | 8 (2 groups of 4 banks each) |
| Prefetch Architecture | — | 8n-bit |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Type de montage | — | Surface Mount |