NT5CC256M16CP-DIH vs H5TC4G63AFR-PBA Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de NT5CC256M16CP-DIH par Nanya Technology et H5TC4G63AFR-PBA par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIH NT5CC256M16CP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIH ✓ Actif
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre NT5CC256M16CP-DIH H5TC4G63AFR-PBA
Marque Nanya Technology SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $5,90 $3,98
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16
Tension d'alimentation 1.35V —
Débit de données 1600 Mbps (DDR3L-1600) 1866 Mbps (PC3L-14900)
Boîtier TFBGA-96 (9x13 mm, 0.8 mm pitch) 96-ball FBGA
Number of Banks 8 8
CAS Latency (CL) Programmable (11, 12, 13) 11, 12, 13
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Burst Length 8 (with on-the-fly burst chop) 8 and 4 (with burst chop)
Température de fonctionnement 0C to +95C (Tc) for commercial, -40C to +95C for industrial/automotive —
RoHS Compliant Compliant
Sans halogène Yes —
Lead Free Yes —
Type de montage Surface Mount —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
Plage de température de fonctionnement — 0°C to +95°C (Tcase)
Interface — 16-bit I/O
On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes

Fiches techniques et ressources

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