NT5CC256M16CP-DIH vs H5TC4G63AFR-PBA 비교

다음의 상세 나란히 비교: NT5CC256M16CP-DIH 제조: Nanya Technology 및 H5TC4G63AFR-PBA 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIH NT5CC256M16CP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIH ✓ 활성
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ 활성

사양 비교

파라미터 NT5CC256M16CP-DIH H5TC4G63AFR-PBA
브랜드 Nanya Technology SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $5.90 $3.98
메모리 유형 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
메모리 구성 256M x 16 256M x 16
공급 전압 1.35V —
데이터 속도 1600 Mbps (DDR3L-1600) 1866 Mbps (PC3L-14900)
패키지 TFBGA-96 (9x13 mm, 0.8 mm pitch) 96-ball FBGA
Number of Banks 8 8
CAS Latency (CL) Programmable (11, 12, 13) 11, 12, 13
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Burst Length 8 (with on-the-fly burst chop) 8 and 4 (with burst chop)
동작 온도 0C to +95C (Tc) for commercial, -40C to +95C for industrial/automotive —
RoHS Compliant Compliant
할로겐 프리 Yes —
Lead Free Yes —
실장 유형 Surface Mount —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
동작 온도 범위 — 0°C to +95°C (Tcase)
인터페이스 — 16-bit I/O
On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes

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