NT5CC256M16CP-DIH vs K4B4G1646E-BYMA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5CC256M16CP-DIH par Nanya Technology et K4B4G1646E-BYMA par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT5CC256M16CP-DIH | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,90 | $14,32 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Débit de données | 1600 Mbps (DDR3L-1600) | 1866 Mbps/pin |
| Boîtier | TFBGA-96 (9x13 mm, 0.8 mm pitch) | FBGA-96 |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS Latency (CL) | Programmable (11, 12, 13) | — |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Burst Length | 8 (with on-the-fly burst chop) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C (Tc) for commercial, -40C to +95C for industrial/automotive | 0°C to +95°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Sans halogène | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Nombre de broches | — | 96 |