NT5CC256M16CP-DIH vs K4B4G1646E-BYMA Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT5CC256M16CP-DIH por Nanya Technology y K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | NT5CC256M16CP-DIH | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,90 | $14,32 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.35V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Velocidad de datos | 1600 Mbps (DDR3L-1600) | 1866 Mbps/pin |
| Encapsulado | TFBGA-96 (9x13 mm, 0.8 mm pitch) | FBGA-96 |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS Latency (CL) | Programmable (11, 12, 13) | — |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Burst Length | 8 (with on-the-fly burst chop) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +95C (Tc) for commercial, -40C to +95C for industrial/automotive | 0°C to +95°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Número de pines | — | 96 |