NT5CC256M16CP-DII vs NT5CC256M16CP-DINA Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de NT5CC256M16CP-DII par Nanya Technology et NT5CC256M16CP-DINA par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DII NT5CC256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DII ✓ Actif
Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DINA NT5CC256M16CP-DINA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DINA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DINA ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre NT5CC256M16CP-DII NT5CC256M16CP-DINA
Marque Nanya Technology Nanya Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,30 $5,90
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16
Total Density 4Gb —
Clock Frequency 800 MHz —
Débit de données 1600 Mbps 1600 Mbps (DDR3-1600)
Tension d'alimentation 1.35 V 1.35 V (DDR3L), backward compatible to 1.5 V
Temperature Grade Industrial —
Boîtier TFBGA-96 (9x13 mm, 0.8 mm pitch) TFBGA-96, 9 x 13 mm, 0.8 mm pitch
Number of Terminals 96 —
Refresh Cycles 8192 —
Access Time 0.225 ns 0.225 ns
Technology CMOS —
RoHS Compliant Compliant
Sans halogène Yes Yes
Plage de température de fonctionnement -40°C to +95°C -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive)
Density — 4 Gb
Latence CAS — 11
Burst Length — 8
Process Technology — 70nm
Interface — CMOS
Type de montage — Surface Mount

Fiches techniques et ressources

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