NT5CC256M16DP-DI vs MT40A512M16JY-07EAIT:B Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5CC256M16DP-DI par Nanya Technology et MT40A512M16JY-07EAIT:B par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | NT5CC256M16DP-DI | MT40A512M16JY-07EAIT:B |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $8,10 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 512M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35V | — |
| Débit de données | 1600 Mbps/pin (800MHz) | 2666 MT/s |
| Boîtier | VFBGA-96 | 96-FBGA (8x14) |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +95°C (industrial) | -40°C to +105°C (AIT grade) |
| Latence CAS | 11, 12, 13 (programmable) | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Interface | Differential clock (CK, CK#) | Parallel |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | — | 2.5V, -125mV, +250mV |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable |
| AEC-Q100 | — | Qualified (AIT suffix) |