NT5CC256M16DP-DI vs MT40A512M16JY-07EAIT:B Comparação

Comparação detalhada lado a lado de NT5CC256M16DP-DI por Nanya Technology e MT40A512M16JY-07EAIT:B por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DI NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI ✓ Ativo
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro NT5CC256M16DP-DI MT40A512M16JY-07EAIT:B
Marca Nanya Technology Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $6,50 $8,10
Tipo de memória DDR3L SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4Gb —
Organização da memória 256M x 16 512M x 16
Tensão de alimentação 1.35V —
Taxa de dados 1600 Mbps/pin (800MHz) 2666 MT/s
Encapsulamento VFBGA-96 96-FBGA (8x14)
Faixa de temperatura de operação -40°C to +95°C (industrial) -40°C to +105°C (AIT grade)
Latência CAS 11, 12, 13 (programmable) —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Number of Banks 8 —
Interface Differential clock (CK, CK#) Parallel
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes (ODT) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tamanho da memória — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Voltage — 2.5V, -125mV, +250mV
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die, internal, adjustable
AEC-Q100 — Qualified (AIT suffix)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação