NT5CC256M16DP-FLNA vs MT41K256M16HA-125 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de NT5CC256M16DP-FLNA par Nanya Technology et MT41K256M16HA-125 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Nanya Technology
NT5CC256M16DP-FLNA NT5CC256M16DP-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16DP-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16DP-FLNA ✓ Actif
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre NT5CC256M16DP-FLNA MT41K256M16HA-125
Marque Nanya Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $20,00 $6,36
Type de mémoire DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Organisation de la mémoire 256M x 16 —
Total Density 4 Gb —
Tension d'alimentation 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) 1.35 V
Débit de données 1600 Mbps (PC3L-12800) —
Latence CAS 11, 12, 13 11
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Number of Banks 8 —
Interface SSTL-15 —
Boîtier BGA-96 (13x9 mm) 96-FBGA (9x14 mm)
Température de fonctionnement -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Refresh Auto self-refresh, auto precharge —
Caractéristiques Write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration, data mask, asynchronous reset —
Taille de mémoire — 4Gbit (256M x 16)
Largeur du bus de données — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
Nombre de broches — 96
Type de montage — Surface Mount
Statut RoHS — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

Fiches techniques et ressources

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