NT5CC256M16ER-EK vs NT5CC256M16ER-FLNA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5CC256M16ER-EK par Nanya Technology et NT5CC256M16ER-FLNA par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT5CC256M16ER-EK | NT5CC256M16ER-FLNA |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $24,00 | $22,00 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Débit de données | 933 MHz (DDR3L-1866) | 1866 Mbps (max) |
| Boîtier | TFBGA-96 | 96-ball TFBGA |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable (e.g., 13, 14) |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8, 4 (with burst chop) |
| Interface | Parallel | — |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| I/O Voltage | — | 1.5 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Plage de température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C (commercial/industrial) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh | — | Auto and self refresh |
| RoHS | — | Compliant |