PC28F640P30BF65B vs PC28F640P30BF65B-TR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de PC28F640P30BF65B par Micron Technology et PC28F640P30BF65B-TR par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
PC28F640P30BF65B-TR PC28F640P30BF65B-TR - 64Mb Parallel NOR Flash, 52MHz | Micron

PC28F640P30BF65B-TR - 64Mb Parallel NOR Flash, 52MHz | Micron

PC28F640P30BF65B-TR Nrnd

Comparaison des spécifications

Paramètre PC28F640P30BF65B PC28F640P30BF65B-TR
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie NRND NRND
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $5,03 $2,55
Type de mémoire Non-Volatile FLASH - NOR (CFI) Non-Volatile Flash (NOR)
Taille de mémoire 64 Mbit —
Memory Organization 4M x 16 —
Largeur du bus de données 16 bit (x16) —
Type d'interface Parallel —
Access Time 65 ns —
Burst Read Clock Frequency 52 MHz —
Write Cycle Time - Word, Page 65 ns —
Sector Architecture Bottom Boot (parameter/small boot blocks at low addresses) —
Supply Voltage - VCC 1.7 V to 2.0 V —
Supply Voltage - VCCQ (I/O) [DATA_NEEDED: VCCQ range per P30 datasheet, typically 1.7V-3.6V] —
Température de fonctionnement -40C to +85C -40 C to +85 C
Boîtier / Format 64-EasyBGA (10x13 mm) —
Type de montage Surface Mount —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: typical 100K cycles per sector per P30 datasheet] —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: per latest Alliance/Micron PCN] —
Lead-Free [DATA_NEEDED] —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: per EasyBGA JEDEC J-STD-020 rating] —
Density — 64 Mbit (4M x 16)
Process Technology — P30-65nm Axcell
Boot Block Location — Bottom
Architecture — 128 KB uniform blocks + 4 KB parameter blocks
VCC (Core) Range — 1.7 V to 2.0 V
VCCQ (I/O) Range — 1.7 V to 3.6 V
Interface — Parallel (asynchronous + synchronous burst)
Synchronous Burst Frequency — 52 MHz
Asynchronous Access Time — 65 ns (75 ns in some datasheet revisions)
Boîtier — 64-ball EasyBGA (10x13 mm)
Block Erase Time (typ.) — 0.4 s
Word Program Time (typ.) — 100 us
Endurance (per block) — 100,000 cycles
Data Retention — 20 years (typical)
Compliance — RoHS

Fiches techniques et ressources

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