PC28F640P30BF65B vs PC28F640P30BF65B-TR 비교

다음의 상세 나란히 비교: PC28F640P30BF65B 제조: Micron Technology 및 PC28F640P30BF65B-TR 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
PC28F640P30BF65B-TR PC28F640P30BF65B-TR - 64Mb Parallel NOR Flash, 52MHz | Micron

PC28F640P30BF65B-TR - 64Mb Parallel NOR Flash, 52MHz | Micron

PC28F640P30BF65B-TR Nrnd

사양 비교

파라미터 PC28F640P30BF65B PC28F640P30BF65B-TR
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 NRND NRND
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $5.03 $2.55
메모리 유형 Non-Volatile FLASH - NOR (CFI) Non-Volatile Flash (NOR)
메모리 크기 64 Mbit —
Memory Organization 4M x 16 —
데이터 버스 폭 16 bit (x16) —
인터페이스 유형 Parallel —
Access Time 65 ns —
Burst Read Clock Frequency 52 MHz —
Write Cycle Time - Word, Page 65 ns —
Sector Architecture Bottom Boot (parameter/small boot blocks at low addresses) —
Supply Voltage - VCC 1.7 V to 2.0 V —
Supply Voltage - VCCQ (I/O) [DATA_NEEDED: VCCQ range per P30 datasheet, typically 1.7V-3.6V] —
동작 온도 -40C to +85C -40 C to +85 C
패키지 / 케이스 64-EasyBGA (10x13 mm) —
실장 유형 Surface Mount —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: typical 100K cycles per sector per P30 datasheet] —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: per latest Alliance/Micron PCN] —
Lead-Free [DATA_NEEDED] —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: per EasyBGA JEDEC J-STD-020 rating] —
Density — 64 Mbit (4M x 16)
Process Technology — P30-65nm Axcell
Boot Block Location — Bottom
Architecture — 128 KB uniform blocks + 4 KB parameter blocks
VCC (Core) Range — 1.7 V to 2.0 V
VCCQ (I/O) Range — 1.7 V to 3.6 V
인터페이스 — Parallel (asynchronous + synchronous burst)
Synchronous Burst Frequency — 52 MHz
Asynchronous Access Time — 65 ns (75 ns in some datasheet revisions)
패키지 — 64-ball EasyBGA (10x13 mm)
Block Erase Time (typ.) — 0.4 s
Word Program Time (typ.) — 100 us
Endurance (per block) — 100,000 cycles
Data Retention — 20 years (typical)
Compliance — RoHS

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