RTAX2000DL-1CQ352V vs RTAX2000DL-CQ352V Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de RTAX2000DL-1CQ352V par Microchip Technology et RTAX2000DL-CQ352V par Microchip Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Microchip Technology
RTAX2000DL-1CQ352V RTAX2000DL-1CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000DL-1CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000DL-1CQ352V ✓ Actif
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RTAX2000DL-CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000DL-CQ352V ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre RTAX2000DL-1CQ352V RTAX2000DL-CQ352V
Marque Microchip Technology Microchip Technology
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2 950,00 $0,00
Family RTAX-DSP (RTAX2000DL) RTAX-DSP (RTAX-S/SL and RTAX-DSP radiation-tolerant FPGAs)
Equivalent System Gates 2,000,000 (approx.) 2,000,000
Logic Cells 29,568 29,568
CLBs 19,712 19,712
Core Supply Voltage 1.425 V to 1.575 V (nominal 1.5 V) 1.5 V nominal (1.425 V to 1.575 V)
Technology Digital CMOS CMOS, antifuse (nonvolatile, one-time programmable)
Programming Technology Antifuse (one-time programmable) —
Radiation Tolerance Radiation-tolerant (RTAX-DSP) —
Configuration Live at power-up, no external boot memory Live-at-power-up (antifuse, no external boot device)
Speed Grade -1 —
Boîtier CQ352 (352-pin ceramic QFP) CQFP-352, hermetically sealed ceramic, metal-sealed cofired
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Application Domain Space-flight systems —
Special Features DSP multiply-accumulate blocks (DL variant) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating Temperature] -55C to +125C
Embedded SRAM [DATA_NEEDED: Embedded SRAM capacity] —
DSP Mathblocks — Up to 120 (18-bit x 18-bit MAC, up to 125 MHz)
Embedded Memory — Up to 540 kbits SRAM with optional EDAC
Maximum Combinatorial Delay — 1.100 ns
Total Ionizing Dose (TID) — 300 krad (functional); 200 krad (per family data)
Terminal Pitch — 0.500 mm

Fiches techniques et ressources

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