RTAX2000DL-CQ352B vs RTAX2000DL-CQ352V Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de RTAX2000DL-CQ352B par Microchip Technology et RTAX2000DL-CQ352V par Microchip Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Microchip Technology
RTAX2000DL-CQ352B RTAX2000DL-CQ352B - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000DL-CQ352B - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000DL-CQ352B ✓ Actif
Microchip Technology
RTAX2000DL-CQ352V RTAX2000DL-CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000DL-CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000DL-CQ352V ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre RTAX2000DL-CQ352B RTAX2000DL-CQ352V
Marque Microchip Technology Microchip Technology
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $0,00
Equivalent System Gates 2,000,000 2,000,000
Logic Cells [DATA_NEEDED: Logic Cells] 29,568
CLBs 19,712 19,712
DSP Mathblocks Up to 120 Up to 120 (18-bit x 18-bit MAC, up to 125 MHz)
DSP MAC Performance 125 MHz, 18-bit x 18-bit multiply-accumulate —
Embedded Memory Up to 540 kbits with optional EDAC protection Up to 540 kbits SRAM with optional EDAC
Programming Technology Nonvolatile antifuse —
Total Ionizing Dose (Functional) 300 krad (Si) —
Total Ionizing Dose (Parameter) 200 krad (Si) —
Core Supply Voltage (Nominal) 1.5 V —
Core Supply Voltage Range 1.425 V to 1.575 V —
Boîtier 352-terminal ceramic CQFP, metal-sealed CQFP-352, hermetically sealed ceramic, metal-sealed cofired
Terminal Pitch 0.500 mm 0.500 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] -55C to +125C
Configuration Live at power-up, no external boot PROM required Live-at-power-up (antifuse, no external boot device)
Application Domain Space flight systems —
Technology — CMOS, antifuse (nonvolatile, one-time programmable)
Core Supply Voltage — 1.5 V nominal (1.425 V to 1.575 V)
Maximum Combinatorial Delay — 1.100 ns
Total Ionizing Dose (TID) — 300 krad (functional); 200 krad (per family data)
Family — RTAX-DSP (RTAX-S/SL and RTAX-DSP radiation-tolerant FPGAs)

Fiches techniques et ressources

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