RTAX250S-LG624V vs RTAX2000S-LG624V Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de RTAX250S-LG624V par Microchip Technology et RTAX2000S-LG624V par Microchip Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Microchip Technology
RTAX250S-LG624V RTAX250S-LG624V - 250K-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX250S-LG624V - 250K-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX250S-LG624V ✓ Actif
Microchip Technology
RTAX2000S-LG624V RTAX2000S-LG624V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000S-LG624V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000S-LG624V ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre RTAX250S-LG624V RTAX2000S-LG624V
Marque Microchip Technology Microchip Technology
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $1,00
Logic Cells 4224 32,256
Configurable Logic Blocks (CLBs) 2816 21,504
Equivalent Gate Count 250000 gates —
Maximum Toggle Frequency 649 MHz —
Process Technology 0.15 um CMOS —
Core Supply Voltage (Nominal) 1.5 V —
Core Supply Voltage Range [DATA_NEEDED: core supply voltage range] —
User I/O Count 248 —
Boîtier 624-Pin LGA (LG624) CG624 ceramic column grid array (LG624)
Température de fonctionnement -55C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Family RTAX-S Radiation-Tolerant FPGA RTAX-S/SL Radiation-Tolerant FPGAs
Radiation Tolerance Radiation-tolerant (space-grade flow, V grade) —
Type de montage Surface Mount —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance]
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Single-Event Effects Immunity [DATA_NEEDED: SEE/TID data] —
Equivalent System Gates — 2,000,000 gates
Embedded Memory — up to 540 kbits SRAM
Memory Protection — optional EDAC protection
User I/Os — up to 684
Program Technology — Nonvolatile antifuse (one-time programmable)
Power-Up Behavior — Live at power-up
Total Ionizing Dose (Functional) — 300 krad
Total Ionizing Dose (Parametric) — 200 krad
SEU Rate — < 1E-10 errors per bit-day
Base Commercial Family — Axcelerator
Primary Application Domain — Space-flight systems
Tension d'alimentation — [DATA_NEEDED: core and I/O supply voltage]

Fiches techniques et ressources

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