STW45NM60 vs STW45NM60-H Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de STW45NM60 par STMicroelectronics et STW45NM60-H par STMicroelectronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

STMicroelectronics
STW45NM60 STW45NM60 - 600V 45A MDmesh Power MOSFET | STMicroelectronics

STW45NM60 - 600V 45A MDmesh Power MOSFET | STMicroelectronics

STW45NM60 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre STW45NM60 STW45NM60-H
Marque STMicroelectronics STMicroelectronics
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,78 $3,78
Technology MDmesh Power MOSFET MDmesh (super-junction)
Drain-Source Voltage (Vdss) 600 V —
Gate-Source Voltage (Vgs) [DATA_NEEDED: maximum Vgs rating] —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C 45 A —
Typical Rds(on) at Vgs=10V 90 mΩ —
Typical Rds(on) at Vgs=4.5V 110 mΩ —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C 417 W —
Plage de température de fonctionnement -65 °C to +150 °C (junction) -55 °C to +150 °C (TJ)
Boîtier TO-247-3 (through-hole) TO-247-3 (through-hole)
Type de montage Through Hole Through Hole
Channel Type N-Channel —
Configuration Single FET —
dv/dt Capability Outstanding (MDmesh process) High
Avalanche Ruggedness Excellent —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V (650 V at TJMAX)
Continuous Drain Current (ID) — 45 A at Tc = 25 °C
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) — 417 W at Tc = 25 °C
On-Resistance (RDS(on)) — 0.09 Ω typical at VGS = 10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V typical
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: input capacitance]
Avalanche Rating — 100% avalanche tested

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