TLV2888IDGKR-Q1 vs TLV2888IDGKR Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de TLV2888IDGKR-Q1 par Texas Instruments et TLV2888IDGKR par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | TLV2888IDGKR-Q1 | TLV2888IDGKR |
|---|---|---|
| Marque | Texas Instruments | Texas Instruments |
| Catégorie | Amplifier ICs | Amplifier ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,85 | $0,00 |
| Amplifier Channels | 2 (Dual) | — |
| Supply Voltage Range | up to 36 V | [DATA_NEEDED: supply voltage range] |
| Gain Bandwidth Product | 14 MHz | 14 MHz |
| Input Offset Voltage (Max) | 15 uV | — |
| Offset Voltage Drift (Max) | 0.05 uV/C | — |
| Amplifier Type | Chopper (Zero-Drift), Mux-Friendly CMOS | Chopper (Zero-Drift), MUX-Friendly |
| Type de sortie | Rail-to-Rail | Rail-to-Rail |
| Input Bias Current | [DATA_NEEDED: input bias current] | — |
| Slew Rate | [DATA_NEEDED: slew rate] | 40 V/us |
| Densité de bruit | [DATA_NEEDED: voltage noise density] | — |
| Settling Time | [DATA_NEEDED: settling time] | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C (I grade, AEC-Q100 Q1) | -40C to +125C (I grade) |
| Boîtier | VSSOP-8 (DGK) | 8-VSSOP (DGK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 (Q1) | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Number of Channels | — | 2 (Dual) |
| Input Offset Voltage | — | 3 uV (typ), 15 uV (max) |
| Offset Voltage Drift | — | 0.01 uV/C (typ), 0.1 uV/C (max) |
| Input Voltage Noise | — | 7.5 nV/sqrtHz |
| PSRR | — | 150 dB |
| CMRR | — | 150 dB |
| Input Common-Mode | — | Input to negative rail |
| Packaging | — | Tape & Reel (DGKR suffix) |