UCC21550ADWR vs UCC21550BQDWRQ1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de UCC21550ADWR par Texas Instruments et UCC21550BQDWRQ1 par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre UCC21550ADWR UCC21550BQDWRQ1
Marque Texas Instruments Texas Instruments
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,19 $2,45
Number of Channels 2 (dual) 2
Configuration Dual low-side, dual high-side, or half-bridge Two low-side / two high-side / half-bridge
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Type Reinforced, capacitive coupling Capacitive coupling
Isolation Voltage 5000 Vrms 5000 Vrms
CMTI > 125 V/ns —
Max VDD Output Supply 25 V —
UVLO Threshold Option 5 V —
Dead Time Programmable Programmable (external resistor)
Disable Function Yes (DISABLE pin) Yes
Driven Devices Power MOSFET, SiC, GaN, IGBT —
Junction Temperature Range -40C to +150C —
Boîtier 16-SOIC (DW) 16-SOIC (DW)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant —
Driver Type — Dual-channel reinforced isolated gate driver
Isolation Grade — Reinforced isolation
UVLO Threshold — 8 V (driver supply)
Target Transistors — Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified (Q1)
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Tension d'alimentation de fonctionnement — [DATA_NEEDED: VCCI / VDD operating range]
Common-Mode Transient Immunity — [DATA_NEEDED: CMTI value]

Fiches techniques et ressources

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