UCC21550ADWR vs UCC21550BQDWRQ1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de UCC21550ADWR por Texas Instruments e UCC21550BQDWRQ1 por Texas Instruments. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro UCC21550ADWR UCC21550BQDWRQ1
Marca Texas Instruments Texas Instruments
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,19 $2,45
Number of Channels 2 (dual) 2
Configuration Dual low-side, dual high-side, or half-bridge Two low-side / two high-side / half-bridge
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Type Reinforced, capacitive coupling Capacitive coupling
Isolation Voltage 5000 Vrms 5000 Vrms
CMTI > 125 V/ns —
Max VDD Output Supply 25 V —
UVLO Threshold Option 5 V —
Dead Time Programmable Programmable (external resistor)
Disable Function Yes (DISABLE pin) Yes
Driven Devices Power MOSFET, SiC, GaN, IGBT —
Junction Temperature Range -40C to +150C —
Encapsulamento 16-SOIC (DW) 16-SOIC (DW)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant —
Driver Type — Dual-channel reinforced isolated gate driver
Isolation Grade — Reinforced isolation
UVLO Threshold — 8 V (driver supply)
Target Transistors — Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified (Q1)
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Tensão de alimentação de operação — [DATA_NEEDED: VCCI / VDD operating range]
Common-Mode Transient Immunity — [DATA_NEEDED: CMTI value]

Fichas técnicas e recursos

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