UCC21550BDWR vs UCC21550BQDWRQ1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de UCC21550BDWR par Texas Instruments et UCC21550BQDWRQ1 par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre UCC21550BDWR UCC21550BQDWRQ1
Marque Texas Instruments Texas Instruments
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,88 $2,45
Configuration de sortie Dual-channel (dual low-side, dual high-side, or half-bridge) —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Type Capacitive coupling, reinforced isolation Capacitive coupling
Isolation Voltage 5000 Vrms 5000 Vrms
CMTI (Common-Mode Transient Immunity) > 125 V/ns —
VDD Output Supply Range Up to 25 V —
UVLO Threshold 8 V (VDD UVLO) 8 V (driver supply)
Programmable Dead Time Yes —
Disable Function Yes Yes
Junction Temperature Range -40 C to +150 C —
Boîtier 16-SOIC (DW) 16-SOIC (DW)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Driven Devices Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Driver Type — Dual-channel reinforced isolated gate driver
Isolation Grade — Reinforced isolation
Number of Channels — 2
Configuration — Two low-side / two high-side / half-bridge
Dead Time — Programmable (external resistor)
Target Transistors — Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified (Q1)
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Tension d'alimentation de fonctionnement — [DATA_NEEDED: VCCI / VDD operating range]
Common-Mode Transient Immunity — [DATA_NEEDED: CMTI value]

Fiches techniques et ressources

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