UCC21550BDWR vs UCC21550BQDWRQ1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de UCC21550BDWR por Texas Instruments e UCC21550BQDWRQ1 por Texas Instruments. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro UCC21550BDWR UCC21550BQDWRQ1
Marca Texas Instruments Texas Instruments
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,88 $2,45
Configuração de saída Dual-channel (dual low-side, dual high-side, or half-bridge) —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Type Capacitive coupling, reinforced isolation Capacitive coupling
Isolation Voltage 5000 Vrms 5000 Vrms
CMTI (Common-Mode Transient Immunity) > 125 V/ns —
VDD Output Supply Range Up to 25 V —
UVLO Threshold 8 V (VDD UVLO) 8 V (driver supply)
Programmable Dead Time Yes —
Disable Function Yes Yes
Junction Temperature Range -40 C to +150 C —
Encapsulamento 16-SOIC (DW) 16-SOIC (DW)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Driven Devices Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Driver Type — Dual-channel reinforced isolated gate driver
Isolation Grade — Reinforced isolation
Number of Channels — 2
Configuration — Two low-side / two high-side / half-bridge
Dead Time — Programmable (external resistor)
Target Transistors — Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified (Q1)
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Tensão de alimentação de operação — [DATA_NEEDED: VCCI / VDD operating range]
Common-Mode Transient Immunity — [DATA_NEEDED: CMTI value]

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação