W634GU6RB-09TR vs K4B4G1646E-BYMA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de W634GU6RB-09TR par Winbond et K4B4G1646E-BYMA par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | W634GU6RB-09TR | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marque | Winbond | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $25,00 | $14,32 |
| Type de mémoire | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 1.067 GHz | 933 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tension d'alimentation | 1.35V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Interface | Parallel | — |
| Largeur du bus de données | 16 bit | — |
| Boîtier | 96-VFBGA (7.5x13) | FBGA-96 |
| Température de fonctionnement | 0°C to 95°C (Tc) | 0°C to +95°C |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Burst Length | 8 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Latence CAS | 20 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Density | — | 4 Gb |
| Débit de données | — | 1866 Mbps/pin |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Nombre de broches | — | 96 |