W634GU6RB11I vs K4B4G1646E-BYMA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de W634GU6RB11I par Winbond et K4B4G1646E-BYMA par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | W634GU6RB11I | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marque | Winbond | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,95 | $14,32 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tension d'alimentation | 1.35V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Boîtier | 96-VFBGA (7.5x13) | FBGA-96 |
| Température de fonctionnement | -40°C to +95°C (Industrial) | 0°C to +95°C |
| Largeur du bus de données | 16 bit | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Latence CAS | 11 (at 933 MHz) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | Auto and Self Refresh | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Débit de données | — | 1866 Mbps/pin |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Nombre de broches | — | 96 |