YZ48G16V-F9HPI-M vs H5AN8G6NDJR-XNC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de YZ48G16V-F9HPI-M par Loongtion et H5AN8G6NDJR-XNC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | YZ48G16V-F9HPI-M | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| Marque | Loongtion | SK hynix |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,60 | $55,68 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | — |
| Débit de données | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Boîtier | FBGA96 | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +85°C | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Interface | DDR4 | — |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Industrial Grade | Yes | — |
| Compatible with | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B | — |
| Largeur du bus de données | 16 bits | — |
| Refresh | Auto-refresh | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (max 1.26 V) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |