YZ48G16V-F9HPI-M vs H5AN8G6NDJR-XNC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de YZ48G16V-F9HPI-M por Loongtion e H5AN8G6NDJR-XNC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | YZ48G16V-F9HPI-M | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| Marca | Loongtion | SK hynix |
| Categoria | DRAM | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $8,60 | $55,68 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organização da memória | 512M x 16 | — |
| Taxa de dados | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Encapsulamento | FBGA96 | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C to +85°C | — |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | — |
| Interface | DDR4 | — |
| Contagem de pinos | 96 | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Industrial Grade | Yes | — |
| Compatible with | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B | — |
| Largura do barramento de dados | 16 bits | — |
| Refresh | Auto-refresh | — |
| Tamanho da memória | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (max 1.26 V) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Livre de halogênio | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |