27C512-25 vs 27C512-20HW השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 27C512-25 מאת Microchip Technology ו 27C512-20HW מאת Fujitsu. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Microchip Technology
27C512-25 27C512-25 - 512Kbit 64Kx8 CMOS EPROM 250ns | Microchip

27C512-25 - 512Kbit 64Kx8 CMOS EPROM 250ns | Microchip

27C512-25 Obsolete
Fujitsu
27C512-20HW 27C512-20HW - 512Kbit CMOS EPROM 200ns LCC32 | Fujitsu

27C512-20HW - 512Kbit CMOS EPROM 200ns LCC32 | Fujitsu

27C512-20HW ✗ סוף ייצור

השוואת מפרטים

פרמטר 27C512-25 27C512-20HW
מותג Microchip Technology Fujitsu
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים Obsolete סוף חיים
Memory Organization 64K x 8 (524,288 bits) —
סוג זיכרון CMOS EPROM (UV / OTP) CMOS EPROM (UV / OTP)
Maximum Access Time 250 ns —
Supply Voltage (Read Mode) 5 V +/- 10% —
Standby Current (CMOS) 20 uA typical —
Operating Mode Asynchronous —
סוג פלט 3-state, common I/O —
Pinout Standard JEDEC-approved 28-pin —
מארז DIP-28 LCC32 (32-lead chip carrier)
סוג הרכבה Through Hole Surface Mount
Programming Method High-voltage EPROM programming (Flashrite type) —
Erase Method UV (windowed variant) or not erasable (OTP variant) UV erase (UV variant) / OTP (windowless variant)
טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Access Time Guarantee Any byte in less than 250 ns —
Technology CMOS floating gate —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
גודל זיכרון — 512 Kbit (64K x 8)
Access Time — 200 ns
מתח אספקה — 5 V +/-10%
Standby Current — 20 uA typical (CMOS standby)
ארגון — 64K x 8 bit
Programming Algorithm — 100% Flashrite programming
Pinout — JEDEC-approved EPROM pinout
Outputs — Tri-state, O0 to O7
Control Signals — CE (active-low), OE (active-low)
Programming Voltage (VPP) — [DATA_NEEDED: VPP voltage]
Active Current — [DATA_NEEDED: active supply current]
Manufacturer — Fujitsu

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר