2ED2106S06FXUMA1 vs 2ED21844S06JXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2ED2106S06FXUMA1 מאת Infineon ו 2ED21844S06JXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 2ED2106S06FXUMA1 2ED21844S06JXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL TTL/CMOS 3.3 V and 5 V
Propagation Delay (typ.) 100 ns —
מספר יציאות 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Number of Drivers 2 2 (high-side + low-side)
מספר פינים 8 —
מארז PG-DSO-8-69 (DSO-8) PG-DSO-14-49 (DSO-14)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated Integrated
טווח טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40 C to +125 C
Packaging Tape & Reel —
סוג פלט Half-Bridge, Non-Inverting —
Driver Configuration — Half-Bridge
Input Type — Non-Inverting
Blocking Voltage (Voffset) — 650 V
Output Current (Source/Sink) — 2.5 A typical
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V [DATA_NEEDED: exact range]
Propagation Delay (Typ.) — 200 ns [DATA_NEEDED: matching value]
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes, both HS and LS rails
Shutdown Pin — Yes
Negative VS Transient Immunity — -100 V typical
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
סטטוס RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר