2ED2106S06FXUMA1 vs 2EDL8124GXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2ED2106S06FXUMA1 מאת Infineon ו 2EDL8124GXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 2ED2106S06FXUMA1 2EDL8124GXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns —
מספר יציאות 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Number of Drivers 2 2
מספר פינים 8 —
מארז PG-DSO-8-69 (DSO-8) PG-VDSON-8-4 (4 mm x 4 mm) with exposed pad
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated Integrated
טווח טמפרטורת פעולה -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range in C]
Packaging Tape & Reel —
סוג פלט Half-Bridge, Non-Inverting —
Driver Configuration — Half-bridge (high-side + low-side)
Input Type — Non-inverting, TTL-compatible with hysteresis
Peak Source Current — 3 A
Peak Sink Current — 4 A
Bootstrap Supply (VBS) Maximum — 120 V
VCC Supply Range — [DATA_NEEDED: VCC min/max typical range]
Isolation Type — Junction isolation (JI)
Propagation Delay (typical) — < 50 ns
Delay Matching Between Channels — [DATA_NEEDED: delay matching spec in ns]
UVLO — Present on VCC and VBS
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
סטטוס RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר