2ED2738S01GXTMA1 vs 2EDN7534RXTMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2ED2738S01GXTMA1 מאת Infineon ו 2EDN7534RXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
2ED2738S01GXTMA1 2ED2738S01GXTMA1 - 8A SOI Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2738S01GXTMA1 - 8A SOI Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2738S01GXTMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 2ED2738S01GXTMA1 2EDN7534RXTMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Output Current (Source, peak) 4.0 A —
Output Current (Sink, peak) 8.0 A —
Output Current (Source, typ) 1.0 A —
Output Current (Sink, typ) 2.0 A —
מספר יציאות 1 —
Input Type Non-Inverting —
Input Logic Compatibility TTL LV-TTL
Supply Voltage (VDD/VCC) 6 V to 20 V —
Bootstrap Supply Voltage Up to 600 V (HS pin rating) —
Propagation Delay (typ) 120 ns 19 ns
Channel-to-Channel Match 40 ns —
Rise/Fall Time (1 nF load) 1.5 ns / 1.5 ns —
Negative Transient Immunity (HS) -10 V to +20 V transient —
Under-Voltage Lockout VCC and Bootstrap —
Bootstrap Diode Integrated —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40C to +125C
מארז PG-VSON-10-5 (3x3 mm) with EP PG-TSSOP-8
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 2 (1 year) 1 (unlimited)
סטטוס RoHS Compliant Compliant
פונקציה — Low-side gate driver
Number of Channels — 2
Peak Output Current (source/sink) — 5 A / 5 A
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V (absolute max)
תצורת מוצא — Non-inverting
Output Resistance (Ron) — <1 ohm (typ)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר