2EDL8033G4BXTMA1 vs 2EDL8124GXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2EDL8033G4BXTMA1 מאת Infineon ו 2EDL8124GXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
2EDL8033G4BXTMA1 2EDL8033G4BXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8033G4BXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8033G4BXTMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 2EDL8033G4BXTMA1 2EDL8124GXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
טופולוגיה Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Bootstrap Voltage (VBS) 120 V —
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Number of Channels 2 (HS + LS) —
Isolation Type Junction-isolated (non-galvanic) Junction isolation (JI)
Input Logic Compatibility TTL —
Input Common-Mode Range -10 V to 20 V —
Input Type Independent HS and LS Non-inverting, TTL-compatible with hysteresis
Integrated Dead-Time Control Yes (programmable) —
Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) Yes —
Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) Yes —
Shoot-Through Protection Yes —
מארז PG-VDSON-8-5 PG-VDSON-8-4 (4 mm x 4 mm) with exposed pad
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Marking Code 2ED8033G4B —
Driver Configuration — Half-bridge (high-side + low-side)
Number of Drivers — 2
Peak Source Current — 3 A
Peak Sink Current — 4 A
Bootstrap Supply (VBS) Maximum — 120 V
VCC Supply Range — [DATA_NEEDED: VCC min/max typical range]
Bootstrap Diode — Integrated
Propagation Delay (typical) — < 50 ns
Delay Matching Between Channels — [DATA_NEEDED: delay matching spec in ns]
UVLO — Present on VCC and VBS
טווח טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: operating temperature range in C]
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר