2EDL8124GXUMA1 vs 2ED2106S06FXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2EDL8124GXUMA1 מאת Infineon ו 2ED2106S06FXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 2EDL8124GXUMA1 2ED2106S06FXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Input Type Non-inverting, TTL-compatible with hysteresis —
Number of Drivers 2 2
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 4 A —
Bootstrap Supply (VBS) Maximum 120 V —
VCC Supply Range [DATA_NEEDED: VCC min/max typical range] —
Isolation Type Junction isolation (JI) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Propagation Delay (typical) < 50 ns —
Delay Matching Between Channels [DATA_NEEDED: delay matching spec in ns] —
UVLO Present on VCC and VBS —
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range in C] -40C to +125C
מארז PG-VDSON-8-4 (4 mm x 4 mm) with exposed pad PG-DSO-8-69 (DSO-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
סטטוס RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Configuration — High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Input Logic Compatibility — CMOS, TTL
Propagation Delay (typ.) — 100 ns
מספר יציאות — 2 (1 high-side, 1 low-side)
מספר פינים — 8
Packaging — Tape & Reel
סוג פלט — Half-Bridge, Non-Inverting

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר