AT25DF081A-SH-B vs AT45DB041E-SHN2B-T השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של AT25DF081A-SH-B מאת Renesas Electronics ו AT45DB041E-SHN2B-T מאת Renesas Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Renesas Electronics
AT45DB041E-SHN2B-T - 4Mbit 1.65V SPI DataFlash 85MHz | Renesas
AT45DB041E-SHN2B-T ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | AT25DF081A-SH-B | AT45DB041E-SHN2B-T |
|---|---|---|
| מותג | Renesas Electronics | Renesas Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | Serial NOR Flash | NOR Flash (DataFlash, SPI) |
| Memory Density | 8 Mbit (1 Mbyte) | — |
| Memory Organization | 4K x 256 bytes | — |
| ממשק | SPI (Single/Dual), Mode 0 and Mode 3 | — |
| תדר שעון מקסימלי | 100 MHz | 85 MHz |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 1.65 V to 3.6 V |
| טמפרטורת פעולה | -40C to +85C | -40C to +85C (industrial) |
| מארז | 8-SOIC (SOIC-W, 208 mil) | 8-SOIC (EIAJ 208mil, 5.23 mm body width) |
| Sector / Block Erase Sizes | 4 KB / 32 KB / 64 KB uniform | — |
| Page Program Size | 1 to 256 bytes | — |
| Endurance | 100,000 erase/program cycles per sector | — |
| Data Retention | >20 years | — |
| Security Registers | Three 256-byte Security Register pages | — |
| SFDP Support | Yes (JEDEC 216 standard) | — |
| Write Protection | Hardware WP pin plus BP0-BP2 status-register bits | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| גודל זיכרון | — | 4 Mbit (512K x 8) plus 128 kbits extra |
| ארגון | — | 2048 pages x 256 bytes (or 2112 x 264 bytes) |
| סוג ממשק | — | SPI (3-wire: SI, SO, SCK + CS) |
| Page Size | — | 256 bytes (or 264 bytes binary page mode) |
| SRAM Buffer | — | Dual, 256/264 bytes |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| Packaging | — | Tape & Reel |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Sector Erase Size | — | 64 KB (4 KB block, 256-byte page erase) |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: deep power-down typical value] |