BSC005N03LS5IATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC005N03LS5IATMA1 מאת Infineon ו ISC015N06NM5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSC005N03LS5IATMA1 BSC005N03LS5IATMA1 - 30V 433A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC005N03LS5IATMA1 - 30V 433A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC005N03LS5IATMA1 ✓ פעיל
Infineon
ISC015N06NM5ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSC005N03LS5IATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC005N03LS5IATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 42 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 433 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max 0.55 mΩ at VGS = 10 V, ID = 50 A —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 2 V (typ) at VGS = 10 mA —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 188 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55 °C to +175 °C —
מארז PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
סטטוס RoHS Compliant (per LCSC listing) Compliant
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
טווח טמפרטורת פעולה — -55 C to +175 C
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר