BSC014NE2LSIATMA1 vs BSC005N03LS5IATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC014NE2LSIATMA1 מאת Infineon ו BSC005N03LS5IATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC014NE2LSIATMA1 | BSC005N03LS5IATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 33 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | [DATA_NEEDED: Tc condition rating] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | 100 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) | 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 74 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55 °C to +150 °C | -55 °C to +175 °C |
| מארז | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant (per LCSC listing) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC005N03LS5IATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 42 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 433 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 0.55 mΩ at VGS = 10 V, ID = 50 A |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | — | 2 V (typ) at VGS = 10 mA |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 188 W |
| Polarity | — | N-Channel |