BSC019N04NSGATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC019N04NSGATMA1 מאת Infineon ו BSC014N04LSATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC019N04NSGATMA1 | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS (trench) | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 2.5 mΩ | — |
| RDS(on) typ at VGS=10V | 1.9 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 125 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C | -55C to +175C |
| מארז | PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 FL) | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| רמת MSL | — | 1 (unlimited) |