BSC0501NSIATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC0501NSIATMA1 מאת Infineon ו BSC014N04LSATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC0501NSIATMA1 | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 25V/30V | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 29 A | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 50 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55C to +150C | — |
| מארז | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Technology | Trench-gate OptiMOS 5 | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +175C |