EP2SGX30CF780I4N vs EP2SGX30CF780C6 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של EP2SGX30CF780I4N מאת Intel ו EP2SGX30CF780C6 מאת Intel. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | EP2SGX30CF780I4N | EP2SGX30CF780C6 |
|---|---|---|
| מותג | Intel | Intel |
| קטגוריה | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| סטטוס מחזור חיים | NRND | NRND |
| Family | Stratix II GX | Stratix II GX |
| Logic Elements | 33,880 | — |
| Logic Cells / CLBs | 33,880 | — |
| Process Technology | 90 nm CMOS | 90 nm |
| Core Supply Voltage | 1.15 V to 1.25 V | — |
| Maximum Internal Frequency | 622.08 MHz | — |
| Embedded Transceivers | 4 channels (up to 3.125 Gbps at C4) | — |
| מארז | 780-ball FC-FBGA, 29 x 29 mm, 1.0 mm pitch | 780-ball FineLine BGA (F780) |
| Pin / Terminal Count | 780 | — |
| טמפרטורת פעולה | -40C to +85C (Industrial) | 0C to +85C (commercial) |
| סוג הרכבה | Surface Mount (BGA) | — |
| Lead-Free | Yes | [DATA_NEEDED: lead-free status] |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| סוג זיכרון | Embedded SRAM, external DDR/DDR2/QDR support | — |
| Configuration | JTAG / passive serial / fast passive parallel | — |
| Series | — | EP2SGX |
| Logic Elements (LE) | — | 33,880 |
| Adaptive Logic Modules (ALM) | — | 13,540 |
| Embedded Memory Bits | — | 1,369,728 bits (171 KBytes) |
| Embedded Multiplier 18x18 | — | 64 (estimated, datasheet required for exact count) |
| User I/O Pins | — | 361 |
| High-Speed Transceivers | — | Up to 8 channels (FPGA-dependent configuration) |
| Transceiver Data Rate | — | Up to 6.375 Gbps |
| Speed Grade | — | C6 (commercial, mid-speed) |
| Core Voltage | — | 1.2 V (typical) |
| Configuration Mode | — | Enhanced passive/active (EPC) supported |