EP3SE50F780I4LG vs EP3SE260H780I4LG השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של EP3SE50F780I4LG מאת Intel ו EP3SE260H780I4LG מאת Intel. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | EP3SE50F780I4LG | EP3SE260H780I4LG |
|---|---|---|
| מותג | Intel | Intel |
| קטגוריה | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| סטטוס מחזור חיים | NRND | NRND |
| Series | Stratix III E | Stratix III Enhanced |
| Family | Stratix III | EP3SE260 |
| Logic Elements | 47,500 | 255,000 LE |
| Adaptive Logic Modules (ALMs) | 19,000 | 102,000 ALM |
| Embedded Memory | 5.49 Mbit | 15.90 Mbit |
| Maximum User I/Os | 488 | — |
| מארז | 780-ball FCBGA (FBGA-780) | 780-ball FineLine BGA (HBGA) |
| Operating Supply Voltage (Core) | 1.1 V | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40 C to +100 C | — |
| Process Node | 65 nm | — |
| DSP Blocks | Yes (dedicated, count not in source data) | 304 |
| High-Speed Transceivers | Multi-gigabit, count not in source data | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (G suffix = Pb-free) | — |
| Packaging | Tray | — |
| סוג זיכרון | Embedded SRAM block RAM | — |
| 18x18 Multipliers | — | 840 |
| User I/O | — | 488 |
| PLLs | — | 8 (4 fractional + 4 general-purpose) |
| Speed Grade | — | -4 |
| Temperature Grade | — | Industrial (I) |
| טמפרטורת פעולה | — | -40C to +100C |
| Process Technology | — | 65 nm low-power CMOS |
| Configuration Method | — | JTAG / Passive Serial / Fast Passive Parallel / Active Serial |