IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUCN04S6N013TATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUCN04S7N019GATMA1 מאת Infineon ו IAUCN04S6N013TATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IAUCN04S6N013TATMA1 IAUCN04S6N013TATMA1 - 40V N-Channel Automotive MOSFET | Infineon

IAUCN04S6N013TATMA1 - 40V N-Channel Automotive MOSFET | Infineon

IAUCN04S6N013TATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IAUCN04S7N019GATMA1 IAUCN04S6N013TATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 —
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
מארז PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-LHDSO-10-1 (SSO10T)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) AEC-Q101
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 230 A at T<sub>C</sub>
R<sub>DS(on)</sub> (max) — 1.32 mΩ at V<sub>GS</sub> = 10 V
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 133 W at T<sub>C</sub>
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — 2.6 V (typ)
Total Gate Charge (Q<sub>g</sub>) — 52 nC at V<sub>GS</sub> = 10 V
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) — 1.08 nF
Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) — 3.7 nF
Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) — 51 pF
טמפרטורת צומת פעולה — -55 °C to +175 °C

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר