IAUT300N10S5N015ATMA1 vs IAUT300N08S5N011ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUT300N10S5N015ATMA1 מאת Infineon ו IAUT300N08S5N011ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUT300N10S5N015ATMA1 ✓ פעיל
Infineon
IAUT300N08S5N011ATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 300 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
RDS(on) (typ, VGS=10V) 1.5 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
טווח טמפרטורת פעולה -55°C to +175°C -55C to +175C
מארז PG-HSOF-8-1 (HSOF-8) PG-HSOF-8-1 (TOLL 10x12 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
רמת MSL MSL1 (260°C peak reflow) 1
RoHS Compliance RoHS compliant (Green product) —
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
Polarity N-Channel —
Mode of Operation Enhancement-mode —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 80 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) — 300 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 410 A (Tj)
R_DS(on) max — 1.10 mOhm at V_GS=10 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.8 V
Total Gate Charge (Q_g) — 231 nC at V_GS=10 V
Input Capacitance (C_iss) — 16.25 nF
Output Capacitance (C_oss) — 2.6 nF
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) — 130 pF
Power Dissipation (P_D) — 375 W at T_C=25C
Qualification — Automotive (AEC-Q101)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר