IPC50N04S5L5R5ATMA1 vs IAUC120N06S5N032ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPC50N04S5L5R5ATMA1 מאת Infineon ו IAUC120N06S5N032ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IAUC120N06S5N032ATMA1 IAUC120N06S5N032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5N032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5N032ATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPC50N04S5L5R5ATMA1 IAUC120N06S5N032ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 50 A —
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) 60 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 5.5 mΩ —
Gate Threshold VGS(th) Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS) —
Power Dissipation (Tc) 42 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC 3.6 K/W —
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +175 °C -55C to +175C (Tj)
מארז PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad) PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount (Tape and Reel)
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Peak Reflow Temperature 260 °C —
Avalanche Rating 100 % Avalanche Tested —
RoHS / REACH RoHS Compliant (Green Product) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 94 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.2 mOhm
Gate Charge (Qg) typ — 47 nC
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Technology — OptiMOS-5 N-Channel
מספר פינים — 8
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]
Gate Resistance (Rg) — [DATA_NEEDED: Rg]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
סטטוס RoHS — Compliant
רמת MSL — MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר