IR2011SPBF vs IRS2302SPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2011SPBF מאת Infineon ו IRS2302SPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IRS2302SPBF IRS2302SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS2302SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS2302SPBF ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IR2011SPBF IRS2302SPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-Side and Low-Side, Inverting Half-Bridge (High Side and Low Side, Independent)
מספר יציאות 2 2 (High Side + Low Side)
Offset Voltage (High-Side, max) 200 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC, VBS) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 1 A / 1 A (typ) —
Propagation Delay (typ) 80 ns —
Rise / Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Input Logic Compatibility CMOS / LSTTL, down to 3.0 V CMOS (3.3 V and 5 V tolerant)
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (on VS pin) —
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C -40 C to +150 C
מארז 8-SOIC (DSO-8) 8-SOIC (SOIC-8N, 3.90 mm width)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Tube / Reel Packaging Tube (per Infineon PBF convention) —
Peak Source Output Current — 200 mA
Peak Sink Output Current — 350 mA
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 5 V to 20 V
Floating Supply Voltage (VBS) — 5 V to 20 V (referenced to VS)
Floating Channel Offset Voltage (VS) — -50 V to +600 V (transient tolerant)
Propagation Delay (typ.) — 220 ns
Rise Time (typ.) — 130 ns
Fall Time (typ.) — 50 ns
Logic Type — Non-Inverting
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
רמת MSL — MSL2 (per JEDEC J-STD-020)
סטטוס RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר