IR2110SPBF vs IR2010STRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2110SPBF מאת Infineon ו IR2010STRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IR2110SPBF IR2010STRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה Half-bridge gate driver —
טופולוגיה High-side and low-side referenced output channels —
Number of Channels 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Logic Type Non-inverting —
Maximum Offset Voltage (Voffset) 500 V —
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) 10 V to 20 V —
Peak Output Current (source/sink) 2.0 A / 2.0 A —
Typical Propagation Delay (ton/toff) 94 ns / 94 ns —
Rise/Fall Time (typical) 25 ns / 17 ns —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL 3.3 V logic compatible
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes, both Vcc and VCC —
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C —
מארז 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix) 16-SOIC (DW, 0.300 inch, 7.50 mm body width)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IR2010STRPBF
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side / Low-Side)
מספר יציאות — 2 (independent high and low side)
Peak Output Current (Source/Sink) — 3 A / 3 A
High-Side Floating Supply Voltage (VBS) — Up to 200 V
Gate Drive Supply Range (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Supply Range — 3.3 V to 20 V
Propagation Delay (Typical) — 95 ns
Undervoltage Lockout — Yes (both channels)
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes (on switch node)
Bootstrap Capable — Yes (floating channel)
Shipping Packaging — Tape & Reel (TR)
Polarity — Non-Inverting
סטטוס RoHS — Compliant (PBF suffix indicates lead-free)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר