IRF5305PBF vs IRF5305STRRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF5305PBF מאת Infineon ו IRF5305STRRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRF5305PBF IRF5305STRRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type P-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -31 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C 110 W —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V 60 mOhm (typical) —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V ID=-16A [DATA_NEEDED: max RDS(on) at -10V] —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC (typical) —
Gate-to-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Turn-On Delay Time (td(on)) [DATA_NEEDED: td(on)] —
Turn-Off Delay Time (td(off)) [DATA_NEEDED: td(off)] —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC] —
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) [DATA_NEEDED: RthJA] —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C -55C to +175C
מארז TO-220AB (through-hole, 3-pin + tab) D2PAK (TO-263) Surface Mount
סוג הרכבה Through Hole Surface Mount
Lead-Free Plating (PBF suffix) Yes (Pb-free) —
סטטוס RoHS Compliant —
Technology HEXFET (planar DMOS) HEXFET (Advanced Process)
סוג טרנזיסטור — P-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC — -31 A
RDS(on) max @ VGS=-10V — 60 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Power Dissipation (TC) — 110 W
Power Dissipation (TA) — 3.8 W
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free suffix)
Packaging — Tape & Reel (TR)
Polarity — P-Channel

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר